G-26型高精密光刻机

产品介绍：

设备概述:

本设备广泛应用于进行批量生产的各大、中、小型企业，它主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产,由于本机找平机构**，找平力小、使本机不仅适合各型基片的曝光，而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光以及非圆形基片和小型基片的曝光。

CCD显微显示系统、高均匀性曝光头、

曝光头及部件图

主要功能特点

150X150mm以下，厚度(包括非圆形基片

有真空掩膜版架、真空片吸盘，本机采用高均匀性的LED专用曝光头，非常理想的三点式自动找平机构和稳定可靠的真空密着装置，使本机的曝光分辨率大为提高。

采用版不动片动的下置式三层导轨对准方式，使导轨自重和受力方向保持一致，自动消Z轴升降机构和双簧片微分离机构，使本机片对版在分离接触时漂移特小，对准精度高，对准速度快，从而提高了版的复用率和产品的成品率。

采用进口（日本产）电磁阀、按钮、定时器；采用独特的气动系统、真空管路系统和

不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题

主要技术指标<span style="font-family:;" "="">

1、曝光类型：单面；

2、曝光面积：150×150mm；

3、曝光照度不均匀性：≤±3.5%；

4、曝光强度：0～30mw/cm2可调；

5、紫外光束角：≤3°；

6、紫外光中心波长：365nm（也可以配专用曝光头实现g线、h线、I线的组合）；

7、紫外光源寿命：≥2万小时；

8、曝光分辨率：1μm；

9、曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光；

10、显微镜扫描范围：X： ±15mm Y： ±15mm；

11、对准范围：X、Y粗调±3mm，细调±0.3mm；Q粗调±15°，细调±3°；

12、套刻精度：1μm；

13、分离量；0～50μm可调；

14、接触－分离漂移：≤1μm；

15、曝光方式：接触式曝光；

16、找平方式：三点式自动找平；

17、显微系统：双视场CCD系统，显微镜91X～570X连续变倍（物镜1.6X-10X连续变倍），双物镜距离可调范围50mm～100mm，计算机图像处理系统，19″液晶监视器；

18、掩模版尺寸： ≤152×152mm；

19、基片尺寸：≤Φ127mm（或者127×127mm）；

20、基片厚度：≤5 mm

21、曝光定时：0～999.9秒可调；